Fullscreen

Magazyn Fotowoltaika 1_2020

Default description

praktyka

20

magazyn fotowoltaika 1/2020

W

drugiej części omówione zostaną przede wszystkim

błędy wynikające z niedoskonałości źródła światła, poję-

cie wydajności kwantowej i odpowiedzi widmowej elementu PV.

Dokładniej omówiony zostanie tzw. błąd  spowodowany niedo-

pasowaniem widmowym (MM), który w skrajnych przypadkach

może przyjąć wartość nawet kilkudziesięciu procent.

Wyznaczanie błędu spowodowanego

niedopasowaniem widmowym (PN-EN 60904-8)

(ang. spectral mismatch error)

Każde źródło światła posiada swoją charakterystykę wid-

mową emitowanego promieniowania, bardziej lub mniej zbliżoną

do wzorcowego widma promieniowania słonecznego zdefinio-

wanego w PN-EN 60904-3. Z kolei każdy element (ogniwo) PV

posiada określoną charakterystykę czułości widmowej, co ozna-

cza w uproszczeniu, że jego efektywność konwersji energii pro-

mieniowania na prąd  elektryczny zależy od  długości fali (ener-

gii) absorbowanych fotonów. W celu zdefiniowana błędu wymie-

nionego w tytule obecnego podrozdziału niezbędne jest zdefinio-

wanie kilku podstawowych pojęć. W  dalszej części wyjaśnione

zostaną często mylone pojęcia, jakimi są wydajność kwantowa

i odpowiedź widmowa ogniwa PV.

Wydajność kwantowa QE(λ) ogniwa PV

Wydajność kwantowa QE(λ) (ang. quantum efficiency) ogniwa

PV1 określa liczbę wygenerowanych nośników prądu (par elek-

tron-dziura) odpowiadających liczbie padających fotonów o okre-

ślonej długości fali λ (μm):

gdzie Iph [A/m2] jest wartością gęstości wygenerowanego

fotoprądu, Nph(λ) [1/(m2⋅μm)] jest gęstością strumienia fotonów

o długości λ w przedziale dλ padających na jednostkę powierzchni

elementu PV, zaś q jest elementarnym ładunkiem elektrycznym

(1,6⋅10-19 C) .

Wartość QE(λ) jest zawsze ≤ 1, a dla fotonów o energii mniej-

szej od szerokości przerwy wzbronionej Eg materiału absorbera

elementu PV wartość QE(λ) = 02.

Wydajność kwantowa zdefiniowana wyrażeniem (1) nie

uwzględnia odbicia światła od powierzchni elementu PV, na który

pada, i  stąd  określa się ją też jako tzw. zewnętrzną wydajność

kwantową EQE(λ) (ang. external quantum efficiency). Po uwzględ-

nieniu efektu odbicia światła, definiowana jest dodatkowa tzw.

wewnętrzna wydajność kwantowa IQE(λ) (ang. internal quantum

efficiency)3:

gdzie R(λ) jest zależnym od długości fali współczynnikiem odbi-

cia światła.

Odpowiedź widmowa SR(λ) ogniwa PV (ang. spectral response)

Odpowiedź widmowa SR(λ) elementu PV definiowana jest

jako stosunek wartości gęstości fotoprądu do mocy promieniowa-

nia padającego na jednostkę powierzchni elementu PV odpowia-

dającego długości fali λ. Wykorzystując równanie (1) i pamięta-

jąc, że moc promieniowania G(λ) strumienia fotonów o gęstości

Nph(λ) wynosi:

Pomiar ogniw i modułów fotowoltaicznych

– normy i praktyka

Cz. II. Pomiar w warunkach laboratoryjnych – błędy powodowane źródłem światła

dr inż. Tadeusz Żdanowicz

PV Test Solutions

Polskie Towarzystwo Fotowoltaiki (PTPV)

Poniższy tekst jest kontynuacją, drugim z serii artykułów dotyczących sposobu i jakości

pomiarów elementów fotowoltaicznych (PV), zarówno pojedynczych ogniw, jak i modu-

łów, a nawet większych zestawów modułów. W pierwszej części zdefiniowane zostały

podstawowe parametry elektryczne elementu fotowoltaicznego – ogniwa, modułu,

warunki pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych (I–V), na podstawie których są

one wyznaczane, oraz wymagania dotyczące źródła światła symulującego naturalne pro-

mieniowanie słoneczne.

Rys. 1. Charakterystyka wydajności kwantowej QE(λ) dla typowego ogniwa krzemowego oraz odpowiadają-

ca jej odpowiedź widmowa SR(λ) wyznaczona zgodnie z zależnością (5)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56